三星电子计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用

8月12日，三星电子计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于2nm的SF2和1.4nm的SF1.4两个近期节点来说，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在1nm级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。三星此前将2029年设定为SF1.4量产时点，并计划2030年推出改进型SF1.4+，其1nm节点最快也要到2030年才会推出。